Multiple quantum structures as an active region for GaAs-based p-i-n photodetector

Room temperature (300K) responsivity and dark current measurements of MBE grown p- n(AlGaAs), p-i-n(InGaAs MQW) and p-i-n(InAsQDs, InGaAs QW, GaAs QW) photodetectors prepared on n+-GaAs substrate are investigated. Maximum responsivity of 1.0 A/W at 880 nm wavelength and detection range extending to...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục

Tác giả chính:	Presto, Jorge Michael Macabinquil (Tác giả)
Tác giả khác:	Somintac, Armando (adviser.)
Định dạng:	Luận văn
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Quezon City National Institute of Physics, College of Science, University of the Philippines Diliman 2010.
Những chủ đề:	Optical detectors.