Fundamentals of modern VLSI devices

Opis bibliograficzny
1. autor:	Taur, Yuan 1946-
Kolejni autorzy:	Ning, Tak H. 1943-
Format:	Książka
Język:	English
Wydane:	New York Cambridge University Press 2009.
Wydanie:	2nd ed.
Hasła przedmiotowe:	Metal oxide semiconductors, Complementary. Bipolar transistors. Integrated circuits > Very large scale integration.