Fundamentals of modern VLSI devices

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Taur, Yuan 1946-
Autres auteurs:	Ning, Tak H. 1943-
Format:	Livre
Langue:	English
Publié:	New York Cambridge University Press 2009.
Édition:	2nd ed.
Sujets:	Metal oxide semiconductors, Complementary. Bipolar transistors. Integrated circuits > Very large scale integration.