Fundamentals of modern VLSI devices

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Taur, Yuan 1946-
Weitere Verfasser:	Ning, Tak H. 1943-
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	New York Cambridge University Press 2009.
Ausgabe:	2nd ed.
Schlagworte:	Metal oxide semiconductors, Complementary. Bipolar transistors. Integrated circuits > Very large scale integration.