Singh, R. Development of high-current 4H-SiC ACCUFET. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Singh, R. "Development of High-current 4H-SiC ACCUFET." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Singh, R. "Development of High-current 4H-SiC ACCUFET." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.