Цитирование APA (7-е изд.)

Singh, R. Development of high-current 4H-SiC ACCUFET. IEEE Transactions on electron devices.

Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)

Singh, R. "Development of High-current 4H-SiC ACCUFET." IEEE Transactions on Electron Devices .

Цитирование MLA (9-е изд.)

Singh, R. "Development of High-current 4H-SiC ACCUFET." IEEE Transactions on Electron Devices, .

Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.