Singh, R. Development of high-current 4H-SiC ACCUFET. IEEE Transactions on electron devices.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Singh, R. "Development of High-current 4H-SiC ACCUFET." IEEE Transactions on Electron Devices .
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Singh, R. "Development of High-current 4H-SiC ACCUFET." IEEE Transactions on Electron Devices, .
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.