Onishi, K. Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.