Цитирование APA (7-е изд.)

Onishi, K. Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing. IEEE Transactions on electron devices.

Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)

Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices .

Цитирование MLA (9-е изд.)

Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices, .

Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.