Παραπομπή σε μορφή APA (7η εκδ.)

Onishi, K. Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing. IEEE Transactions on electron devices.

Παραπομπή σε μορφή Chicago (17η εκδ.)

Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices .

Παραπομπή σε μορφή MLA (9th εκδ.)

Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices, .

Πρόσοχή: Οι παραπομπές μπορεί να μην είναι 100% ακριβείς.