Onishi, K. Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing. IEEE Transactions on electron devices.
Παραπομπή σε μορφή Chicago (17η εκδ.)Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices .
Παραπομπή σε μορφή MLA (9th εκδ.)Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Πρόσοχή: Οι παραπομπές μπορεί να μην είναι 100% ακριβείς.