Onishi, K. Improvement of surface carrier mobility of HfO2 MOSFETs by high-temperature forming gas annealing. IEEE Transactions on electron devices.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices .
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Onishi, K. "Improvement of Surface Carrier Mobility of HfO2 MOSFETs by High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices, .
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.