Nieh, R. Electrical characterization and material evaluation of zirconium oxynitride gate dielectric in TaN-gated NMOSFETs with high-temperature forming gas annealing. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Nieh, R.E. "Electrical Characterization and Material Evaluation of Zirconium Oxynitride Gate Dielectric in TaN-gated NMOSFETs with High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Nieh, R.E. "Electrical Characterization and Material Evaluation of Zirconium Oxynitride Gate Dielectric in TaN-gated NMOSFETs with High-temperature Forming Gas Annealing." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.