Meneghesso, G. Pulsed measurements and circuit modeling of weak and strong avalanche effects in GaAs MESFETs and HEMTs. IEEE Transactions on electron devices.
Citação do estilo Chicago (17ª ed.)Meneghesso, G. "Pulsed Measurements and Circuit Modeling of Weak and Strong Avalanche Effects in GaAs MESFETs and HEMTs." IEEE Transactions on Electron Devices .
Citação MLA (9ª ed.)Meneghesso, G. "Pulsed Measurements and Circuit Modeling of Weak and Strong Avalanche Effects in GaAs MESFETs and HEMTs." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Nota: a formatação da citação pode não corresponder 100% ao definido pela respectiva norma.