Meneghesso, G. Pulsed measurements and circuit modeling of weak and strong avalanche effects in GaAs MESFETs and HEMTs. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Meneghesso, G. "Pulsed Measurements and Circuit Modeling of Weak and Strong Avalanche Effects in GaAs MESFETs and HEMTs." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Meneghesso, G. "Pulsed Measurements and Circuit Modeling of Weak and Strong Avalanche Effects in GaAs MESFETs and HEMTs." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.