Tsung-Hsing Yu. Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Tsung-Hsing Yu. "Theoretical Study of a GaN-AlGaN High Electron Mobility Transistor Including a Nonlinear Polarization Model." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Tsung-Hsing Yu. "Theoretical Study of a GaN-AlGaN High Electron Mobility Transistor Including a Nonlinear Polarization Model." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.