Sawada, K. Elimination of kink phenomena and drain current hysteresis in InP-based HEMTs with a direct ohmic structure. IEEE Transactions on electron devices.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Sawada, K. "Elimination of Kink Phenomena and Drain Current Hysteresis in InP-based HEMTs with a Direct Ohmic Structure." IEEE Transactions on Electron Devices .
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Sawada, K. "Elimination of Kink Phenomena and Drain Current Hysteresis in InP-based HEMTs with a Direct Ohmic Structure." IEEE Transactions on Electron Devices, .
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.