Sawada, K. Elimination of kink phenomena and drain current hysteresis in InP-based HEMTs with a direct ohmic structure. IEEE Transactions on electron devices.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Sawada, K. "Elimination of Kink Phenomena and Drain Current Hysteresis in InP-based HEMTs with a Direct Ohmic Structure." IEEE Transactions on Electron Devices .
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Sawada, K. "Elimination of Kink Phenomena and Drain Current Hysteresis in InP-based HEMTs with a Direct Ohmic Structure." IEEE Transactions on Electron Devices, .
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.