Materials aspects of GaAs and InP based structures

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Swaminathan, V.
Weitere Verfasser:	Macrander, A. T.
Format:	Buch
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Englewood Cliffs, N.J. Prentice Hall c1991.
Schlagworte:	Semiconductors > Materials. Epitaxy. Gallium arsenide semiconductors.