A mostrar 1 - 1 resultados de 1 para a pesquisa 'Yo-Sheng Lin', tempo de pesquisa: 0.01seg
Refinar resultados
-
1
An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs. Por Yo-Sheng Lin
Publicado no IEEE Transactions on electron devicesÁrea/Cota: loading...
Localização: loading...Artigo loading...