Näytetään 1 - 1 yhteensä 1 tuloksesta haulle 'Yo-Sheng Lin', hakuaika: 0,01s
Tarkenna hakua
-
1
An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs. Tekijä Yo-Sheng Lin
Julkaisussa IEEE Transactions on electron devicesHyllypaikka: loading...
Sijainti: loading...Artikkeli loading...