Εμφανίζονται 1 - 1 Αποτελέσματα από 1 για την αναζήτηση 'Yo-Sheng Lin', χρόνος αναζήτησης: 0,01δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1

    An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs. ανά Yo-Sheng Lin

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs.

Εργαλεία αναζήτησης: