Mostrar 1 - 1 resultats de 1 per cerca 'Yo-Sheng Lin', hora de la petició: 0.01sec
Refinar resultats
-
1
An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs. per Yo-Sheng Lin
Publicat a IEEE Transactions on electron devicesSignatura: loading...
Localitzat: loading...Article loading...