يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن 'Yo-Sheng Lin', وقت الاستعلام: 0.01s
تنقيح النتائج
-
1
An analysis of small-signal gate-drain resistance effect on RF power MOSFETs. حسب Yo-Sheng Lin
الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devicesرقم الاستدعاء: loading...
المكان: loading...مقال loading...