Đang hiển thị 1 - 1 kết quả của 1 cho tìm kiếm 'Tsung-Hsing Yu', thời gian truy vấn: 0.01s
Tinh chỉnh kết quả
-
1
Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. Bằng Tsung-Hsing Yu
Xuất bản năm IEEE Transactions on electron devicesSố hiệu: loading...
Nằm: loading...Bài viết loading...