Отображение 1 - 1 результаты of 1 для поиска 'Tsung-Hsing Yu', время запроса: 0.01сек.
Отмена результатов
-
1
Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. по Tsung-Hsing Yu
Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devicesШифр: loading...
Местонахождение: loading...Статья loading...