Toon 1 - 1 resultaten van 1 Voor zoekopdracht 'Tsung-Hsing Yu', zoektijd: 0,01s
Verfijn jouw resultaten
-
1
Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. door Tsung-Hsing Yu
Gepubliceerd in IEEE Transactions on electron devicesPlaatsingsnummer: loading...
Locatie: loading...Artikel loading...