Näytetään 1 - 1 yhteensä 1 tuloksesta haulle 'Tsung-Hsing Yu', hakuaika: 0,01s
Tarkenna hakua
-
1
Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. Tekijä Tsung-Hsing Yu
Julkaisussa IEEE Transactions on electron devicesHyllypaikka: loading...
Sijainti: loading...Artikkeli loading...