يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن 'Tsung-Hsing Yu', وقت الاستعلام: 0.01s
تنقيح النتائج
-
1
Theoretical study of a GaN-AlGaN high electron mobility transistor including a nonlinear polarization model. حسب Tsung-Hsing Yu
الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devicesرقم الاستدعاء: loading...
المكان: loading...مقال loading...