Rezultaty - Somintac, Armando S.
- Rezultaty 1 - 10 Rezultaty od 17
- Idź do następnej strony
-
1
Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy od Somintac, Armando S.
Wydane 2001Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się… -
2
A report on the initial growth of GaAs and A1GaAs via molecular beam epitaxy od Somintac, Armando S.
Wydane w Science Diliman (2001)Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Artykuł Ładuje się… -
3
Growth and device fabrication of indium arsenide quantum dot based emitters od Somintac, Armando Soriano 1972-
Wydane 2004Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się… -
4
Transverse magnetic field polarity effects on the terahertz radiation from GaAs/AlGaAs modulation-doped heterostructures with varying AlGaAs spacer-layer thickness od Estacio, Elmer, Sarukura, Nobuhiko, Ponseca, Carlito Jr, Somintac, Armando, Bailon-Somintac, Michelle, Garcia, Alipio, Salvador, Arnel
Wydane 2008Sygnatura: Ładuje się…Dokumenty pełnotekstowe
Zlokalizowane: Ładuje się…
Analytics -
5
Investigation of the terahertz emission characteristics of MBE-grown GaAs-based nanostructures od Takatori, Satoru, Minh, Pham Hong, Estacio, Elmer, Cadatal-Raduban, Marilou, Nakazato, Tomoharu, Shimizu, Toshihiko, Bailon-Somintac, Michelle, Somintac, Armando, Defensor, Michael, Gabayno, Jacqueline, Awitan, Fritz Christian B., Jaculbia, Rafael B., Garcia, Alipio, Ponseca, Carlito Jr, Salvador, Arnel
Wydane 2010Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Analytics Ładuje się… -
6
Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy od Delos Santos, Ramon Mandapat
Wydane 2009Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się… -
7
Investigation of the terahertz emission mechanisms of silicon substrates od Tingzon, Philippe Martin Baguio
Wydane 2016Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się… -
8
Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells od De las Alas, Kaye Ann C.
Wydane 2013Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się… -
9
Terahertz emission from GaAs-AlGaAs core-shell nanowires od Ibañes, Jasher John A.
Wydane 2014Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się… -
10
X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates od Fernando, Joel G.
Wydane 2009Sygnatura: Ładuje się…
Zlokalizowane: Ładuje się…Praca dyplomowa Ładuje się…
Narzędzie wyszukiwania:
Podobne hasła
Molecular beam epitaxy
Gallium arsenide semiconductors
Silicon
Testing
Aluminum
Aluminum nitride
Diffraction
Electroluminescent devices
Gallium arsenide
Indium arsenide
Nanotechnology
Nanotubes
Optical detectors
Optoelectronic devices
Photoluminescence
Photonics
Porous materials
Porous silicon
Quantum dots
Quantum electronics
Quantum theory
Quantum wells
Silicones
Spectrum analysis
Terahertz technology
Thin films
Titanium dioxide
Tunneling (Physics)
X-ray diffraction
X-rays