Arama Sonuçları - Somintac, Armando S.
- Gösterilen 1 - 10 sonuçlar arası kayıtlar. 17
- Sonraki Sayfaya Git
-
1
Growth and characterization of GaAs-based optoelectronic devices grown via molecular beam epitaxy Yazar: Somintac, Armando S.
Baskı/Yayın Bilgisi 2001Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor… -
2
A report on the initial growth of GaAs and A1GaAs via molecular beam epitaxy Yazar: Somintac, Armando S.
Yayımlandı Science Diliman (2001)Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Makale Yüklüyor… -
3
Growth and device fabrication of indium arsenide quantum dot based emitters Yazar: Somintac, Armando Soriano 1972-
Baskı/Yayın Bilgisi 2004Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor… -
4
Transverse magnetic field polarity effects on the terahertz radiation from GaAs/AlGaAs modulation-doped heterostructures with varying AlGaAs spacer-layer thickness Yazar: Estacio, Elmer, Sarukura, Nobuhiko, Ponseca, Carlito Jr, Somintac, Armando, Bailon-Somintac, Michelle, Garcia, Alipio, Salvador, Arnel
Baskı/Yayın Bilgisi 2008Yer Numarası: Yüklüyor…Tam Metin Erişim
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…
Analytics -
5
Investigation of the terahertz emission characteristics of MBE-grown GaAs-based nanostructures Yazar: Takatori, Satoru, Minh, Pham Hong, Estacio, Elmer, Cadatal-Raduban, Marilou, Nakazato, Tomoharu, Shimizu, Toshihiko, Bailon-Somintac, Michelle, Somintac, Armando, Defensor, Michael, Gabayno, Jacqueline, Awitan, Fritz Christian B., Jaculbia, Rafael B., Garcia, Alipio, Ponseca, Carlito Jr, Salvador, Arnel
Baskı/Yayın Bilgisi 2010Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Analytics Yüklüyor… -
6
Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy Yazar: Delos Santos, Ramon Mandapat
Baskı/Yayın Bilgisi 2009Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor… -
7
Investigation of the terahertz emission mechanisms of silicon substrates Yazar: Tingzon, Philippe Martin Baguio
Baskı/Yayın Bilgisi 2016Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor… -
8
Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells Yazar: De las Alas, Kaye Ann C.
Baskı/Yayın Bilgisi 2013Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor… -
9
Terahertz emission from GaAs-AlGaAs core-shell nanowires Yazar: Ibañes, Jasher John A.
Baskı/Yayın Bilgisi 2014Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor… -
10
X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates Yazar: Fernando, Joel G.
Baskı/Yayın Bilgisi 2009Yer Numarası: Yüklüyor…
Bulunduğu Yer: Yüklüyor…Tez Yüklüyor…
Arama Araçları:
İlgili Konular
Molecular beam epitaxy
Gallium arsenide semiconductors
Silicon
Testing
Aluminum
Aluminum nitride
Diffraction
Electroluminescent devices
Gallium arsenide
Indium arsenide
Nanotechnology
Nanotubes
Optical detectors
Optoelectronic devices
Photoluminescence
Photonics
Porous materials
Porous silicon
Quantum dots
Quantum electronics
Quantum theory
Quantum wells
Silicones
Spectrum analysis
Terahertz technology
Thin films
Titanium dioxide
Tunneling (Physics)
X-ray diffraction
X-rays