প্রদর্শন 1 - 10 ফলাফল এর 17 অনুসন্ধানের জন্য 'Somintac, Armando', জিজ্ঞাসা করার সময়: 0.01সেকেন্ড
ফলাফল পরিমার্জন করুন
-
1
Investigation of the terahertz emission mechanisms of silicon substrates অনুযায়ী Tingzon, Philippe Martin Baguio
প্রকাশিত 2016ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading... -
2
Terahertz emission from GaAs-AlGaAs core-shell nanowires অনুযায়ী Ibañes, Jasher John A.
প্রকাশিত 2014ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading... -
3
Photoluminescence excitation spectroscopy of coupled and decoupled GaAs/AlxGa1-xAs double quantum wells অনুযায়ী De las Alas, Kaye Ann C.
প্রকাশিত 2013ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading... -
4
Fabrication and characterization of porous silicon for photonic applications অনুযায়ী Mabilangan, Arvin I.
প্রকাশিত Science Diliman (2013)ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...প্রবন্ধ loading... -
5
Growth of anatase titanium dioxide nanotubes via anodization অনুযায়ী Dilla, Ed Adrian
প্রকাশিত Science Diliman (2012)ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...প্রবন্ধ loading... -
6
Investigation of the terahertz emission characteristics of MBE-grown GaAs-based nanostructures অনুযায়ী Takatori, Satoru, Minh, Pham Hong, Estacio, Elmer, Cadatal-Raduban, Marilou, Nakazato, Tomoharu, Shimizu, Toshihiko, Bailon-Somintac, Michelle, Somintac, Armando, Defensor, Michael, Gabayno, Jacqueline, Awitan, Fritz Christian B., Jaculbia, Rafael B., Garcia, Alipio, Ponseca, Carlito Jr, Salvador, Arnel
প্রকাশিত 2010ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...Analytics loading... -
7
Multiple quantum structures as an active region for GaAs-based p-i-n photodetector অনুযায়ী Presto, Jorge Michael Macabinquil
প্রকাশিত 2010ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading... -
8
Investigation on Self-Assembled InAs Quantum dots embedded in GaAs p-i-n active region for photovoltaic cell application অনুযায়ী Molleda, Hazel D.
প্রকাশিত 2010ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading... -
9
Growth of gold-assisted gallium arsenide nanowires on silicon substrates via molecular beam epitaxy অনুযায়ী Delos Santos, Ramon Mandapat
প্রকাশিত 2009ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading... -
10
X-Ray diffraction analysis of MBE-grown InxGa1-xAs/GaAs superlattices on GaAs (100) substrates অনুযায়ী Fernando, Joel G.
প্রকাশিত 2009ডাক সংখ্যা: loading...
অবস্থিত: loading...গবেষণাপত্র loading...
অনুসন্ধান সাধনীগুলি:
সম্পর্কিত বিষয়
Molecular beam epitaxy
Gallium arsenide semiconductors
Silicon
Testing
Aluminum
Aluminum nitride
Diffraction
Electroluminescent devices
Gallium arsenide
Indium arsenide
Nanotechnology
Nanotubes
Optical detectors
Optoelectronic devices
Photoluminescence
Photonics
Porous materials
Porous silicon
Quantum dots
Quantum electronics
Quantum theory
Quantum wells
Silicones
Spectrum analysis
Terahertz technology
Thin films
Titanium dioxide
Tunneling (Physics)
X-ray diffraction
X-rays