Näytetään 1 - 1 yhteensä 1 tuloksesta haulle 'Sghaier, N.', hakuaika: 0,01s
Tarkenna hakua
-
1
Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. Tekijä Sghaier, N.
Julkaisussa IEEE Transactions on electron devicesHyllypaikka: loading...
Sijainti: loading...Artikkeli loading...