Εμφανίζονται 1 - 1 Αποτελέσματα από 1 για την αναζήτηση 'Sghaier, N.', χρόνος αναζήτησης: 0,01δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. ανά Sghaier, N.

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

Εργαλεία αναζήτησης: