يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن 'Sghaier, N.', وقت الاستعلام: 0.01s تنقيح النتائج
  1. 1

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity. حسب Sghaier, N.

    الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devices
    مقال

    Study of trapping phenomenon in 4H-SiC MESFETs dependence on substrate purity.

أدوات البحث: