Đang hiển thị 1 - 1 kết quả của 1 cho tìm kiếm 'Jongdae Kim', thời gian truy vấn: 0.01s
Tinh chỉnh kết quả
-
1
A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. Bằng Jongdae Kim
Xuất bản năm IEEE Transactions on electron devicesSố hiệu: loading...
Nằm: loading...Bài viết loading...