A mostrar 1 - 1 resultados de 1 para a pesquisa 'Jongdae Kim', tempo de pesquisa: 0.01seg
Refinar resultados
-
1
A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. Por Jongdae Kim
Publicado no IEEE Transactions on electron devicesÁrea/Cota: loading...
Localização: loading...Artigo loading...