Toon 1 - 1 resultaten van 1 Voor zoekopdracht 'Jongdae Kim', zoektijd: 0,01s
Verfijn jouw resultaten
-
1
A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. door Jongdae Kim
Gepubliceerd in IEEE Transactions on electron devicesPlaatsingsnummer: loading...
Locatie: loading...Artikel loading...