Mostra 1 - 1 risultati di 1 ricerca 'Jongdae Kim', tempo di risposta: 0,01s
Raffina i risultati
-
1
A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. di Jongdae Kim
Pubblicato in IEEE Transactions on electron devicesCollocazione: loading...
Localizzazione: loading...Articolo loading...