Näytetään 1 - 1 yhteensä 1 tuloksesta haulle 'Jongdae Kim', hakuaika: 0,01s Tarkenna hakua
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. Tekijä Jongdae Kim

    Artikkeli

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

Työkalut: