Εμφανίζονται 1 - 1 Αποτελέσματα από 1 για την αναζήτηση 'Jongdae Kim', χρόνος αναζήτησης: 0,01δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. ανά Jongdae Kim

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

Εργαλεία αναζήτησης: