প্রদর্শন 1 - 1 ফলাফল এর 1 অনুসন্ধানের জন্য 'Jongdae Kim', জিজ্ঞাসা করার সময়: 0.01সেকেন্ড ফলাফল পরিমার্জন করুন
  1. 1

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing. অনুযায়ী Jongdae Kim

    প্রকাশিত IEEE Transactions on electron devices
    প্রবন্ধ

    A novel technique for fabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing.

অনুসন্ধান সাধনীগুলি: