Đang hiển thị 1 - 1 kết quả của 1 cho tìm kiếm 'Dong-Won Kim', thời gian truy vấn: 0.01s
Tinh chỉnh kết quả
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. Bằng Dong-Won Kim
Xuất bản năm IEEE Transactions on electron devicesSố hiệu: loading...
Nằm: loading...Bài viết loading...