Отображение 1 - 1 результаты of 1 для поиска 'Dong-Won Kim', время запроса: 0.01сек.
Отмена результатов
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. по Dong-Won Kim
Опубликовано в: IEEE Transactions on electron devicesШифр: loading...
Местонахождение: loading...Статья loading...