Toon 1 - 1 resultaten van 1 Voor zoekopdracht 'Dong-Won Kim', zoektijd: 0,01s
Verfijn jouw resultaten
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. door Dong-Won Kim
Gepubliceerd in IEEE Transactions on electron devicesPlaatsingsnummer: loading...
Locatie: loading...Artikel loading...