Showing 1 - 1 results of 1 for search 'Dong-Won Kim', זמן שאילתה: 0.01s
Refine Results
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. מאת Dong-Won Kim
הוצא לאור ב IEEE Transactions on electron devicesסימן המיקום: loading...
ממוקם: loading...Article loading...