Näytetään 1 - 1 yhteensä 1 tuloksesta haulle 'Dong-Won Kim', hakuaika: 0,01s
Tarkenna hakua
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. Tekijä Dong-Won Kim
Julkaisussa IEEE Transactions on electron devicesHyllypaikka: loading...
Sijainti: loading...Artikkeli loading...