Erakusten 1 - 1 emaitzak -- 1 bilaketa honetara 'Dong-Won Kim', Bilaketaren denbora: 0,01s
Findu emaitzak
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. nork Dong-Won Kim
Argitaratua izan da IEEE Transactions on electron devicesSailkapena: loading...
Kokapena: loading...Artikulua loading...