Εμφανίζονται 1 - 1 Αποτελέσματα από 1 για την αναζήτηση 'Dong-Won Kim', χρόνος αναζήτησης: 0,01δλ Περιορισμός αποτελεσμάτων
  1. 1

    Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. ανά Dong-Won Kim

    Τόπος έκδοσης IEEE Transactions on electron devices
    Άρθρο

    Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide.

Εργαλεία αναζήτησης: