Zobrazuji výsledky 1 - 1 z 1 pro vyhledávání 'Dong-Won Kim', doba hledání: 0,01 s. Upřesnit hledání
  1. 1

    Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. Autor Dong-Won Kim

    Článek

    Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide.

Vyhledávací nástroje: