Zobrazuji výsledky 1 - 1 z 1 pro vyhledávání 'Dong-Won Kim', doba hledání: 0,01 s.
Upřesnit hledání
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. Autor Dong-Won Kim
Signatura: loading...
Umístění: loading...Článek loading...