يعرض 1 - 1 نتائج من 1 نتيجة بحث عن 'Dong-Won Kim', وقت الاستعلام: 0.01s
تنقيح النتائج
-
1
Reduction of charge-transport characteristics of SiGe dot floating gate memory device with ZrO2 tunneling oxide. حسب Dong-Won Kim
الحاوية / القاعدة IEEE Transactions on electron devicesرقم الاستدعاء: loading...
المكان: loading...مقال loading...